JH60C霍尔效应测试系统-电磁铁型|SeeweTek晟为|磁场发生装置_磁学测试方案_物性测试方案

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JH60C霍尔效应测试系统-电磁铁型
产品简述:霍尔效应测试仪,是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。仪器轻巧方便,易于携带,主要用于量测电子材料之重要特性参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或固体材料均可。
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技术指标
其他

产品组成

本仪器系统由:实验室电磁铁、高精度双极性电源、内置高斯计、美国吉时利keithley2450、美国吉时利keithley6510、美国吉时利keithley7709、霍尔探头、电缆、标准样品、样品安装架、系统软件。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 实验结果由软件自动计算得到,可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等等。

可测试材料

  • 半导体材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe和铁氧体材料;
  • 低阻抗材料:石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料;
  • 高阻抗材料:半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等。

技术指标

  • 温度范围:4K~325K(选配)  80K~523K(选配)  室温~730K(选配)
  • 磁场: 间距20mm情况下6000Gs。
  • 样品电流:10nA~1000mA(最小可调节电流为 0.1nA)
  • 测量电压:0.1uV~200V
  • 提供各类测试标准材料,各级别霍尔器件(灵敏度与精度不同)
  • 最小分辨率:0.1GS
  • 磁场范围:0~±6000Gs
  • 配合高斯计或数采板可与计算机通讯
  • I-V 曲线及 I-R 曲线测量等
  • 载流子浓度:5×1012~5×1022cm-3
  • 霍尔系数:±1×10-2~±1×106cm3/C
  • 电阻范围:10mΩ-10MΩ
  • 电阻率:5×10-5~5×103Ω·cm
  • 迁移率:1x101~1X105
  • 测试全自动化,一键处理
  • 专业的欧姆接触组合套件
设备配置清单
序号名称数量
1霍尔效应测试系统1
2美国吉时利keithley77091
3美国吉时利keithley24501
4美国吉时利keithley65101
5高精度双极性电源JCP-10/40SA1
6内置高斯计GP-51
7实验室电磁铁EM-31
8台式计算机1
9标准样品1
10欧姆接触套件1
11测试支架1
12标准四探针测试卡1
13电源线4
14说明书1
15保修卡1
16合格证1
17出厂测试报告1